M-type SiC-verwarmingselement

M-type SiC-verwarmingselement

Voordelen van siliciumcarbide staven: 1) De oppervlaktetemperatuur kan 1500 graden bereiken.
2) Infraroodstraling is 5-10 maal groter dan die van gewone nikkelchroomdraad.
3) Hoge mechanische sterkte, met een buigsterkte tot 100-120 MPa.
4) Sterke oxidatiebestendigheid, sterke corrosiebestendigheid en uitstekende hitte-schokbestendigheid.
5) Lange levensduur, gemakkelijke installatie en onderhoud.
Model van siliciumcarbide staaf: Model: GD-type (gelijke diameter) Bij bestelling de volgende gegevens verstrekken: OD: diameter; HZ: warm eindlengte; CZ: koud eindlengte; OL: totale lengte.
Als u speciale eisen heeft aan weerstand, laat ons dan de weerstandswaarde weten.
Het gebruik van siliciumcarbide staven: (1) Na verhitting in de lucht wordt op het oppervlak van de siliciumcarbide staaf een dichte siliciumoxidefilm gevormd.die een antioxidant beschermende film wordt en de levensduur verlengt.
In de afgelopen jaren zijn verschillende coatings ontwikkeld om het kraken van siliciumcarbide staven te voorkomen voor gebruik in ovens met verschillende gassen.
(2) Hoe groter de stroom die op de siliciumcarbide staaf wordt aangebracht, hoe hoger de oppervlaktetemperatuur van de siliciumcarbide staaf.
Voorstel om de laagst mogelijke oppervlaktebelastingdichtheid (vermogen) te gebruiken.
Let op dat de op het koude uiteinde van de siliciumcarbide staaf vastgestelde waarden de stroom en spanning bij 1000 °C in de lucht zijn, die mogelijk niet noodzakelijk overeenkomen met het werkelijke gebruik.
In het algemeen wordt de oppervlaktevermogen van siliciumcarbide staven bepaald door de relatie tussen de temperatuur in de oven en de oppervlaktetemperatuur van de siliciumcarbide staaf.Het wordt aanbevolen om de stroom en spanning te gebruiken bij de maximale dichtheid van de siliciumcarbide staaf, die niet noodzakelijkerwijs overeenkomen met het daadwerkelijke gebruik.
In het algemeen wordt de oppervlaktevermogen van siliciumcarbide staven bepaald door de relatie tussen de temperatuur in de oven en de oppervlaktetemperatuur van de siliciumcarbide staven.Het wordt aanbevolen een oppervlaktevermogen (W/cm2) van 1/2-1/3 van de maximale dichtheid van de siliciumcarbide staven te gebruiken. (3) Bij voortdurend gebruik van siliciumcarbide staven is het wenselijk de weerstand langzaam te verhogen om een lange levensduur te behouden.
(4) Siliciumkoolstofstaven moeten zoveel mogelijk parallel worden aangesloten.
Als de weerstandswaarden van de siliciumcarbide staven verschillen, concentreren de hoogweerstands siliciumcarbide staven in serie de belasting,een snel verhogen van de weerstand van één siliciumcarbide staaf en een kortere levensduur (5)De temperatuurspreiding van siliciumcarbide staven vereist een controle binnen de effectieve verwarmingslengte van Δ 60 °C om als geschikt voor nieuwe zendingen te worden beschouwd.de temperatuurverdeling zal toenemen met het ouder worden en kan uiteindelijk 200 °C bereiken.
De specifieke temperatuurverdeling verandert ook afhankelijk van de ovenatmosfeer en de gebruiksomstandigheden.